系科
SYSCOS INSTRUMENTS
LE-M5采用旋转单补偿器光学结构(PSCrA)与旋转起偏器(PrSCA)原理相结合,采用632.8nm He-Ne激光器或者半导体激光器,能在1S内完成单层镀膜的测量,具有出色的稳定性。
LE-M5 应用内容
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测量内容
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LE-M5 技术优势
相位补偿
LE-M5配置了补偿器,能够使椭偏参数Δ接近0°或180°时依然能够获得出色的测量精度,无测量死角区。
高信噪比
采用高灵敏硅光电探测,放大倍率可自由选择,同时,内置数据采集系统的缓存可有效防止采集数据的丢失。
载物台切换
LE-M5 载物台可一键式实现水平面与倾斜面的自由切换,方便用户在单晶电池与多晶电池的同时测量需求。
褪偏纠正
绒面均具有一定的褪偏效应,无论是具有米氏散射还是具有瑞利散射的绒面,均能自动进行褪偏纠正。
LE-M5 技术规格
项 |
具体技术规格 |
波长 |
650nm(半导体激光),632.8nm(He-Ne激光) |
长期稳定性 |
TanY = ±0.005;CosD = ±0.005 |
膜厚精度 |
2 Å for 100 nm SiO2
on Si |
折射率精度 |
± 2x10-3 for
100 nm SiO2 on Si |
厚度范围 |
1nm - 3000nm |
光学设计 |
反射式光路设计延长光程以增加测量精度,即激光经双镜面反射进入各光学器件 |
起偏器P、检偏器A等光学元件的最佳位置自动跟踪、以及自校准功能 |
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量测时间 |
1S –5S |
测量方式 |
能一键完成数据采集、数据即时显示、数据分析、结果输出 |
光斑 |
配置动态可调光阑 |
探测器 |
高放大倍率硅光电探测器 |
运动控制 |
集成控制系统基于PCI通讯,具有极快的响应精度及速度 |
驱动 |
标准二轴驱动 |
载物台 |
对焦方式:Manually Z |
软件保护 |
使用ElliSpec软件系统,含USB
Key 软件保护 |
环境 |
普通光学实验室环境,也可用于无尘室 |
所承诺技术参数完全满足如下技术参数要求:
波长 |
650nm (半导体激光器),632.8nm (HeNe激光器), |
入射角 |
20-90°(每5°角间隔,精度﹢/- 0.02°) |
测量反射 |
反射 |
样品台 |
φ110mm (可配三维样品台) |
测量方式 |
自动完成信号测量 |
膜层厚度 |
±0.5nm (薄膜厚度在10-100nm时) |
角度 |
每5°入射角式多角度变换(精度 ±0.02°) |
椭偏精度 |
Psi
﹢/- 0.03°,Del ﹢/- 0.05° |
定标方式 |
自洽、绝对定标 |
电脑连接 |
PCI |
LE-M5 软件及硬件特征
【软件特征】 |
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功能: |
数据采集及偏振态、折射及厚度数据的分析 建模及拟合处理
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特色: |
自动Excel(或PDF报表)全天候数据监控 可扩展的材料数据库 测试结果的图形反馈 多角度量测 可预先定义简洁的操作模式供工程师使用
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【硬件规格】 |
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微细光斑: |
<<1mm,≈20μm,能够检测印刷过的电池 |
探测时间: |
0.2S ~ 1S |
入射角: |
35°至90°(步进5°) |
控制系统: |
步进 |
偏振系统: |
格兰-泰勒(发散角<3′;消光比<0.0001) |
载物台: |
单多晶测量直接切换 |
滤光: |
高品质窄带滤波片 |
系科仪器
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薄膜检测是我们的事业
我们提供各式膜层属性的检测服务,包括厚度、折射率、反射率、消光系数、透过率、面电阻、Haze等检测内容。